世界のメモリ半導体メーカーで構成されるバスケットに投資するアクティブ運用型ETFです。DRAM、広帯域メモリ、NANDに加え、ストレージハードウェアのサプライチェーンにも投資対象が広がり、AIによるデータ処理需要の拡大を中核テーマとしています。

AIインフラとメモリサイクルに集中的に投資したい、積極的なテーマ投資家に向いています。

ラウンドヒル・インベストメンツが運用する、アクティブ(積極運用)方式のETFです。

メモリ半導体セクター内の市場シェアと売上高の比重を反映した修正時価総額方式で、世界のメモリメーカーを選別して保有します。単一銘柄の比率に上限を設けて偏りを抑制し、リバランスは四半期ごと、またはそれ以上の頻度で実施されます。一部のエクスポージャーはスワップや先物などのデリバティブで構成されます。

• 広範な半導体ではなく、メモリ領域への集中投資
• 単一銘柄の比率に上限を適用

運用資産総額は$19.1B規模で、総経費率は年0.65%です。

広範な半導体ETFであるSOXXやSMHと比べ、メモリ領域に絞って集中しているためテーマの純度が高い一方、分散の幅は相対的に狭くなります。

メモリ価格のサイクルやAI需要の動向によって変動が大きく、半導体市況の好況局面や調整局面に敏感に反応する傾向があります。テーマが狭いため、広範な半導体ETFよりも値動きの幅が拡大する可能性があります。

AIインフラ投資への期待が高まる局面ではメモリテーマに資金の関心が集まりやすく、市況が減速する局面では変動性が大きくなる可能性があります。新しいテーマETFという性格上、資金規模と流動性は広範なコアETFより限定的です。

メモリテーマに純度の高い集中投資ができる点が強みで、分散が狭いことやサイクルによる変動性が弱みです。

広範な半導体へのエクスポージャーを求めるなら、表に示した代替商品のほかに、SOXXやSMHといった代表的な半導体ETFがあります。これらはメモリだけでなく、設計、装置、ファウンドリまで網羅しており、分散の幅がより広いのが特徴です。均等加重方式の半導体ETFであるXSD、そしてレバレッジのリスクを許容できるならSOXLのような派生商品もあわせて検討できます。同じアクティブテーマETFのカテゴリーには、表に示したSECT、VOLT、CANC、AVRE、HRTSのように、セクターローテーション、電動化、ヘルスケア、不動産など異なるテーマを対象とする商品があり、これらと経費率やテーマへの投資対象を比較することができます。このファンドは、これらと比べてメモリ領域に絞って集中している点が差別化要因です。

DRAMに投資する前に確認すべきポイントです。狭いテーマに集中するアクティブETFであるため、経費率の水準、テーマへの集中度、メモリサイクルの変動性、デリバティブの活用といった運用構造を事前に十分確認することが重要です。

メモリ価格のサイクルとAI需要の動向に直接さらされるため、短期的な変動性が大きくなりがちです。狭いテーマに集中していることから、市況の調整局面では広範な半導体ETFよりも下落幅が拡大する可能性がある点に注意が必要です。

メモリ半導体サイクルに集中的に投資したい積極的な投資家に向いたテーマETFです。分散と安定性を優先するなら、SOXXやSMHのような広範な半導体ETFが代替になり得ます。