인텔 팬서 레이크 분석: 18A 공정 기술 도입
INTC Intel Corp
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차트·분석 보기 → - 1인텔은 후면 전력 공급(BSPDN)의 첫 상업적 구현과 첫 번째 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터를 선보였다.
- 2Intel 18A는 Intel 3 GPU 예시 밀도보다 18.6% 더 높은 Intel 18A의 밀도를 나타낸다.
- 3Samsung SF2 MBCFET은 3개의 나노시트를 사용하며 Intel 18A RibbonFET은 4개의 나노시트를 사용한다.
그래서 핵심이 뭔가요?
인텔이 새로운 기술을 적용한 반도체 공정을 처음으로 공개했어요. 이 기술을 쓰면 이전보다 반도체 부품을 18.6% 더 촘촘하게 만들 수 있어요.
이 3줄 요약은 아래 보도를 정리한 것입니다.
Semianalysis 원문 보기 ↗
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