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サムスン電子とSKハイニックス、中国工場で先端メモリチップ生産に向けたアップグレードを実施

Reuters +1 ·

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  1. 1サムスン電子は西安工場を286層V9 NANDチップの生産施設へと転換する。
  2. 2サムスン電子は今年12月に、西安工場の月間目標生産量である5,000枚のウェーハを達成する計画である。
  3. 3SKハイニックスは、大連の施設において240層以上のNAND製品への生産転換を検討している。

つまり、要点は何ですか?

サムスン電子とSKハイニックスが、中国の工場でより高性能なメモリチップを作るための準備を進めています。今回の設備更新により、サムスン電子は12月に毎月5,000枚のウェーハを生産することを目指しています。

出典 Reuters +1 · 原文を見る ↗

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